SK Hynix 238-Layer NAND : La plupart des couches de mémoire sur la plus petite puce

Image : SK Hynix

La course aux couches en 3D NAND entre dans le prochain tour. SK Hynix possède désormais le plus grand nombre de niveaux de stockage du secteur. 238 couches sont plus que 232 couches chez Micron. Cependant, Micron est déjà en production en série, avec SK Hynix il faudra attendre l’année prochaine.

Seul SK Hynix parle de « 4D NAND »

Juste à temps pour le début du Sommet de la mémoire flash 2022, SK Hynix a annoncé la « meilleure mémoire flash NAND 4D à 238 couches au monde ». Le terme « 4D NAND » vient du service marketing de l’entreprise et signifie simplement que dans la 3D NAND, non seulement les cellules de mémoire mais aussi les circuits d’E/S sont empilés en couches les unes sur les autres. Cela permet d’économiser une surface de puce coûteuse et est maintenant commun à tous les fabricants de NAND. Mais seul SK Hynix appelle le principe « 4D NAND ».

La plupart des couches, les plus petits copeaux

Selon SK Hynix, la NAND à 238 couches a été entièrement développée en juillet. La production en série devrait commencer au premier semestre 2023. Les puces de mémoire sont TLC-NAND avec 3 bits par cellule et une capacité de stockage de 512 Gbit (64 Go). La NAND 3D ne devrait pas seulement être le leader en nombre de couches, mais aussi avoir la plus petite surface.

Il est à noter que le dernier produit à 238 couches est le plus stratifié et le plus petit en même temps

SK Hynix La petite NAND TLC à 238 couches de SK Hynix (Image : SK Hynix)

Le fabricant parle d’une augmentation de 34 % de la productivité par rapport à la NAND à 176 couches de SK Hynix. Si l’on entend par là la densité de surface, elle passerait de 10,8 Gbit/mm² à environ 14,5 Gbit/mm² et la nouvelle puce ne mesurerait qu’environ 35 mm². Cependant, cette hypothèse doit encore être confirmée.

Densité de stockage de la NAND 3D (vert : TLC, orange : QLC, bleu : SLC)

Kioxia/WD BiCS6 162L (QLC, 1 To)

SK Hynix V7 176L (QLC, 1 To)

Micron 232L (TLC, 1 To)

SK Hynix V8 (TLC, 512 Go)

Intel 144L (QLC, 1 To)

SK Hynix V7 176L (TLC, 512 Go)

Kioxia/WD BiCS6 162L (TLC, 1 To)

Intel/Micron 96L (QLC, 1 To)

Kioxia/WD BiCS4 96L (QLC, 1,33 To)

Samsung V7 176L (TLC, 512 Go)

YMTC 128L (TLC, 512 Go)

SK Hynix V5 96L (QLC, 1 To)

Kioxia/WD BiCS5 128L (TLC, 512 Go)

SK Hynix V6 128L (TLC, 512 Go)

Samsung V5 92L (QLC, 1 To)

Intel/Micron 96L (TLC, 512 Go)

Kioxia/WD BiCS4 96L (TLC, 512 Go)

Samsung V6 128L (TLC, 512 Go)

Samsung Z-NAND 48L (SLC, 64 Go)

Intel/Micron 3D XPoint (SLC, 128 Go)

Unité : gigabits par mm²

La 232L-NAND de Micron, en revanche, serait deux fois plus grande à environ 70 mm², mais avec 1 térabit par puce, elle offre deux fois la capacité de stockage et a une densité surfacique presque identique à 14,6 Gb/mm².

Interface NAND accélérée de 50 %

Pour que les quantités croissantes de données puissent toujours être déplacées rapidement, les performances doivent également augmenter. Comme Micron, SK Hynix utilise une interface NAND à 2,4 Gbit/s, soit 50 % plus rapide que son prédécesseur. Contrairement à Micron, cependant, le fabricant ne fournit aucune information sur l’augmentation des performances en lecture et en écriture. Au lieu de cela, la question tout aussi importante de l’efficacité est abordée : l’énergie nécessaire à la lecture aurait été réduite de 21 %.

TLC 3D NAND en comparaison

Client d’abord, 1 Tbit suit

Les puces à 238 couches de SK Hynix seront initialement utilisées pour les SSD clients et plus tard également pour les smartphones et les SSD serveurs. L’année prochaine, SK Hynix souhaite également introduire une variante de la NAND à 238 couches avec une capacité de stockage doublée de 1 térabit. Reste à savoir s’il s’agit également de TLC-NAND ou de QLC-NAND avec 4 bits par cellule.

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